您的位置: 网站首页 >> 新闻资讯 >> 国家传感器科技攻关和技术发展

国家传感器科技攻关和技术发展

发布日期: 2014-11-04
浏览人气: 1188

2000年6月12日,国家科技部组织,“96-748sensor技术研究”国家重点科技攻关计划项目验收。与会专家听取了项目实施小组”项目实施情况自我评估报告”,“96-748sensor技术研究”,经过3年的研究已成功地完成了国家重点工程的目标,评价的目标和研究内容。项目总investment66423700元资金,国家拨款25000000元。科技投入人员468人左右。通过3年的研究,共有内建测试生产线12条,其中工程任务完成的试生产线9条,新产品开发项目完成的试生产线3条,making18品种75个规格的新产品,形成一定规模的中试生产;通过开发新产品,发展。力传感器,磁传感器,温度传感器,压力变送器,湿度的敏感性5186种规格的新产品,90%项成果被大众或小批量生产,供应市场。传感器关键共性技术,包括计算机辅助设计技术,关键技术,微机电系统技术,可靠性技术应用于生产,研究产品的良率普遍提高10%以上,提高可靠性水平of1-2等级,建立传感器实验室,测试方式;据不完全统计,research3年累计销售各类传感器约12600000,实现销售收入144180000元,achieve59科学研究成果,整个九十年代中期水平达到国外先进水平。获得国家32项(其中获得和受理发明11项),在国内外各类期刊上发表学术论文和研究报告244,转让知识,取得较好的效果。
“九五”传感器技术的指导思想是:目标是提高技术水平的可靠性水平传感器,和工业化程度。2变化是提高企业技术进步变化的变化,提高市场份额。三个组合的共性、关键技术和应用技术,加快产业化进程;典型的产品开发和产品系列组合;满足市场需要;研究开发和成果的工程结合,实现适度规模生产。
通过研究,传感器,关键制造技术的新产品开发,科技成果的工程方面的改善我们的传感器技术水平,促进中国传感器行业的形成,缩小了与*水平的差距。
2技术,拥有多项自主知识产权的结果
通过研究,创新技术,拥有多项自主知识产权的科技成就,主要:
(1)本发明的复旦大学面具-无掩模刻蚀过程的倡议。不仅在实验上取得的胀形外观[ 311 ]基本规律,理论推导出新的条件和新的底部,底部的深度和位置的公式,建立了腐蚀技术制造微结构新技术。使用氢氧化钾腐蚀溶液对不同晶体表面腐蚀速率的差异,在理论和技术解决用口罩,形成一个三维多层微机械结构技术,多层结构层差控制精度在4/米,转移面平面度优于1/商标,接受一个发明。
 (2)清华大学开发了一种基于石英谐振力和应变敏感性影响数字称重传感器。研究的敏感元件的力敏特性,谐振器可以在效应和共振频率,谐振频率和结构的关系,确保良好的频率稳定性。研究开发了一种特殊的粘合剂,解决影响传感器蠕变和磁滞特性的关键技术,提高传感器的性能指标及产量。在*个在国内和国外发展一系列的下游应用——各种石英电子衡器。has6实用新型,一项发明,受理发明4。
哈尔滨理工大学(3)成功开发了“新的内在的半导电聚合物压力-温度参数传感器”,合成聚省醌自由基聚合物,这是一种压力系数和温度系数的高分子材料,材料表面处理技术解决了高温传感器油制成的威尔斯,潜水泵压力和温度测量的难题。经过检索表明,新的内在的聚合物压力-温度参数传感器的倡议,受理发明。
(4)沈阳仪器仪表工艺研究所中国*时间解决扩散硅力敏芯片温度自补偿技术。通过调整工艺参数平面掺杂工艺,实现了在-30-80c宽温区,*传感芯片灵敏度温度漂移控制在5%,实现了扩散硅力敏芯片的灵敏度温度自补偿。
(5)沈阳仪器仪表研究所技术开发高灵敏锑化铟薄膜的制备技术,解决了高密度,高磁导率铁氧体基片抛光技术,在蒸发过程中,锑元素,敏感层磨浆减薄过程和提高芯片的灵敏度的掺杂工艺,研制的锑化铟薄膜完满足制备高性能的磁性组件需要。获得的发明和实用新型。
3发展,使一批市场急需的传感器实现批量生产
“九五”国家科技市场急需的传感器,该传感器新产品进行了研究和发展工程。通过国家支持,单位自筹,成果转让,技术入股等方式,建立了十二试验生产线,使一批科技含量高的新型传感器产品实现适度规模的中试生产,主要有:
(1)扩散硅压力传感器实现3kpa ~60 MPa各种品种和规格的生产,产品有:工业变送器压力传感器,压力传感器的多功能智能变送器,包装和填充结构通用压力传感器。产品性能指标,包括短期稳定,长期稳定,可靠性达到了国外同类产品的水平,开始批量供应市场。可以说,通过研究,沈阳仪器仪表学会技术扩散硅传感器制造技术已经成熟。并在国内实现了微机械加工技术,批量生产各种型号的扩散硅压力传感器。
  (2)石英谐振式称重传感器是在清华大学,并成功开发各种电子weighing1~15公斤。投资16680000元,在深圳成立深圳清华传感器设备有限公司,承接批量试生产,建成年产1000000石英谐振式称重传感器和2个00000电子衡器中试生产线,产品大部分出口国外,2000only香港大哥大表示和已知成分为8美元的0000002000is预计将达到30000000元的销售收入。获得11patents发明和实用新型。
(3)华中科技大学研制成功的高压力和低电压系列4个品种的过载保护器,并以技术入股的方式(25%),在武汉武汉高新技术开发区成立湖北帮助传感器公司,investment9800000元,建成年产20000000条生产线,后完成的产值将达到50000000元素。同时,科技公司在上海和0000000的中试生产,产品主要用于程控交换机和电机过载保护。
(4)中国科学院新疆物理研究所研制的小型及微型热敏电阻的一致性,可靠性和性能价格比和韩国,日本的产品,在家电和粮食产业占有较大的市场份额。新疆公司建造的小型和微型热敏传感器的中试生产线,1999sales卷00000。
(5)霍尔锑化铟元件通过“八五”和“九五”科技攻关,解决芯片从生产到包装等一系列关键技术,打破朝日化学公司技术垄断,实现了锑化铟霍尔组成部分的批量生产,产品的性能达到朝日公司化工产品水平,并在沈阳仪器仪表工艺研究所与南京的微电子公司生产,zui近南京的微电子公司将与中国台湾公司合资,扩大规模,zui终建成年产100000000的生产能力。
(6)中科院合肥智能机械研究所,发展厚膜压力传感器,通过工程研究,在南京的微电子公司建成了年产50000thick薄膜压力传感器的中试生产线,压力范围为0.02~40 MPa,产品在工业控制领域的应用。
(7)的ct-fe203gas传感器及家用燃气报警器,信息部industry49and大庆泰科传感器公司,建成年产1000000条生产线,并通过了iso-9001quality体系认证。在家用电器和环保行业的应用。
(8)在高温压力传感器,开发二氧化硅,多晶硅,碳化硅三高温压力传感器。硅压阻式压力传感器的工作温度范围从-30to0.80扩大to22013for油井,高温压力测量。在油田使用,三种高温压力传感器性能良好,并远销国外。
(9)高温硅霍尔综合交换,使硅集成霍尔开关的zui大操作温度120 c增加到15013个,并在南京的微电子公司生产,每一个约100000的力量应用到车辆点火,良好的结果。
(10)与低功耗和低浓度的一氧化碳,撒谎,n02gas传感器的研制成功,在环境保护领域具有广阔的应用前景,长春应用化学研究所,中国科学院的科技成果,已转移到中国台湾茂发科技公司,生产。
4common和关键技术,提高了传感器的行业的技术水平
  “九义”状态传感器技术,关键技术,主要解决了传感器应用技术的关键技术,制造技术,微机电系统技术和可靠性技术研究,并在传感器生产中得到应用和推广。
(1)传感器的计算机辅助设计技术应用研究扩散硅压力传感器,压力传感器,压力传感器,加速度传感器的功能,霍尔磁传感器和应变传感器实现计算机辅助设计。从应力分析,布局设计,结构分析,设计图纸的计算机。设计结果在生产线已通过实验验证,总符合率reach80%。力敏器件平面工艺进行计算机模拟,确定了在平面技术扩散,离子注入,氧化,扩散和其他制造过程计算机仿真程序。该传感器是提高设计水平和新产品开发能力。
(2)“4扩散硅芯片生产技术的研究在国内实施扩散硅传感器4“晶圆生产过程中,通过调整工艺参数,使硅压阻传感器灵敏度温度漂移in30-80c总区的温度控制在0.5%财政司司长,实现了灵敏度温度漂移补偿免费。研究业绩的稳定性参数通过传感器,该传感器100 h短期稳定确保长期稳定的of5ttv,0.2%财政司司长,达到国外同类产品的先进水平。批量生产进行“硅压阻硅芯片,管芯面积zui小的1.2倍1.2(毫米),合格率85%。
(3)锑化铟薄膜技术解决使用中,锑元素蒸发过程,磁性及非磁性基板代替锑化铟单晶沉积多晶薄膜生产技术,降低成本,提高成品率。同时采用选择性湿蚀刻工艺,特别是insb-au欧姆接触层的选择性蚀刻工艺制造的电极。收益率超过60%。锑化铟薄膜开发了3个品种规格的13insb霍尔元素,并批量生产。
(4)在一个新的气体湿度超细粉的发展,通过研究,开发zr02-y20,湿度敏感材料及固体电解质材料,这些材料的应用,开发了400高温湿度传感器和一个平面内加热二氧化碳气体传感器。
(5)化学腐蚀,电化学腐蚀,硅硅键合微加212/ 12艺术在传感器生产中的应用。成功应用of10kpa -60 MPa传感器的批量生产,腐蚀的硅膜zui小厚度为10/商标,精度控制在10%。目前,沈阳仪器仪表研究所技术扩散硅压力传感器的敏感膜片精密化学腐蚀,大型的静电键合,硅键合工艺。腐蚀和密封技术的产量达到75%。*次在中国的扩散硅压力传感器微机械加工的艺术生产。
(6)通过传感器完成可靠性技术研究,集成传感器的压力测试,制定了全面的压力测试技术规范,正温度系数,热敏电阻,扩散硅压力传感器的元素,霍尔可靠性试验的时间从1年到2个月~,可靠性试验技术的改进。通过可靠性增长技术的研究,使企业生产dl93,sg75扩散硅压力传感器,石英谐振式称重传感器,热敏电阻,热敏电阻热敏电阻元件,-霍尔,a-fe203气体传感器,湿度传感器,廉价的可靠性指标提高1——2orders级。
该5ending
可以看出,“九五”传感器技术,以市场需求为导向,经济建设的需要,提高我国传感器技术和产业化程度有了更大的成就,对科技成果产业化的孵化作用,促进了我国传感器,提高技术水平,加快产业化的科学成果技术的过程中。
第二十一世纪,人类进入了电子信息时代。敏感元件与传感器的关键部件为基础的信息系统。微电子和微机械加工等先进制造技术的使用,使传感器技术的飞速发展。与传统的传感器相比,新一代的敏感元件与传感器的突出特征是数字化,智能化,阵列,微和微系统。随着现代信息技术的三大核心技术之一,传感器技术,将是第二十一个世纪人们在科学和技术发展的制高点。因此,我们必须重视发展传感器技术,加快产业化进程。
 

产品目录
  • 扫一扫,关注我们